平成24年度（2012年度）
2012年度卒論テーマ (2013年2月28日実施)
和歌山ビッグ愛にて口頭発表およびポスター発表をしました。 （→案内）
下記の内容は旧精密物質学科で実施された卒業研究です。その中から材料工学メジャー所属教員が指導した卒業研究のタイトル一覧となっています。
アクティブマテリアルグループ
- 熱CVD法によるカーボンナノチューブ膜の成長制御
- アガロースゲルカラム法によるカーボンナノチューブの成分分離
- カーボンナノチューブにおける構造と光学スペクトルの相関
- グラフェンにおけるラマン散乱の応力印加効果
物性理論グループ
- 半導体における格子間原子拡散
- 非線形格子振動と原子脱離
- １次元系での金属?非金属転移
- 励起子間に働く熱的な引力
- 励起寿命計算手法の開発
- 第一原理計算を用いたシリコンナノチューブの安定性
- １次元系における電子伝播
光機能?ナノ材料グループ
- 液中レーザーアブレーション法による有機ナノ粒子作製と評価
- 増感型太陽電池への応用に向けたコロイダル量子ドットの作製と評価
- フォトニック結晶導波路の光モード制御による量子ドットの発光増強
- アクセプター分子フラーレンの励起三重項状態と電荷移動状態の電子スピン共鳴
- 生体断層イメージング用光干渉計（OCT）の立ち上げ
- ダイヤモンド結晶におけるキャリア有効質量の異方性観測と易動度の推定
- 気相輸送法で作製したルブレン単結晶での構造欠陥における発光の増強現象
- pn接合型GaAs太陽電池の作製とInAs量子ドット導入による発電効率の向上
電子材料グループ
- 電着法を用いた酸化亜鉛の厚膜作製と評価
- ペンタセン結晶性制御層を用いたボトムコンタクト型BDT-dimer薄膜トランジスタ
- チタン酸ストロンチウムのTOFキャリア移動度
- アモルファス太陽電池特性に及ぼす物理パラメータの影響
- ポリシルセスキオキサンをゲート絶縁膜に用いたペンタセン薄膜トランジスタ
- ミストCVD 法で作製した酸化亜鉛薄膜の結晶粒形成と電気的特性への影響
- グラファイトシート上にミストCVD 法で成長した酸化亜鉛の評価
- 有機材料のキャリア移動度の温度および電界強度依存性の経験式
物理化学グループ
- フェナントレン及びベンゾ[c]シンノリンとF4TCNQとの錯体の合成と構造
- カルバゾール及びメチルカルバゾールとTCNBとの錯体の合成と構造
- trans-スチルベンとFnTCNQ(n=0,1,2,4)からなる錯体の合成と構造